[发明专利]具有气隙的半导体元件结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202011346606.2 | 申请日： | 2020-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN113035837A | 公开（公告）日： | 2021-06-25 |
| 发明（设计）人： | 施信益 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L21/768 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开提供一种具有气隙的半导体元件结构及其制备方法。该半导体元件结构包括一导电结构，设置在一半导体基底上；以及一导电插塞，设置在该导电结构上。该导电插塞电性连接到该导电结构。该半导体元件结构亦包括一第一间隙子，形成在该导电插塞的一侧壁表面；以及一蚀刻终止层，设置在该半导体基底上。该蚀刻终止层邻接该第一间隙子。该半导体元件结构还包括一第一层间介电层，设置在该蚀刻终止层上，并靠近该导电插塞设置，其中该第一层间介电层与该第一间隙子以一气隙而相互间隔设置。 | ||
| 搜索关键词： | 有气 半导体 元件 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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