[发明专利]焦平面阵列倒装互连工艺方法及焦平面阵列探测器在审
| 申请号： | 202011347128.7 | 申请日： | 2020-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN112466765A | 公开（公告）日： | 2021-03-09 |
| 发明（设计）人： | 刘志方;杨晓杰 | 申请（专利权）人： | 安徽光智科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L31/101 |
| 代理公司： | 北京五洲洋和知识产权代理事务所(普通合伙) 11387 | 代理人： | 张婷婷;张向琨 |
| 地址： | 239000 安徽省滁州市琅琊区琅琊经济*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种焦平面阵列倒装互连工艺方法及焦平面阵列探测器，所述工艺方法包括S1，在焦平面阵列芯片设置有金属电极的一侧表面上涂布各向异性导电胶；S2，将涂布有各向异性导电胶的焦平面阵列芯片放置在加热板上以对各向异性导电胶进行预固化处理；S3，将预固化处理后的焦平面阵列芯片与带有导电金属柱的读出电路通过热压焊接进行倒装互连、并使导电金属柱与焦平面芯片上的金属电极通过各向异性导电胶电连接。固化后的各向异性导电胶起到机械支撑作用、在垂直方向上实现了金属电极与导电金属柱之间的电导通、在水平方向上实现了相邻金属电极、相邻导电金属柱之间的电绝缘，由此避免了相邻两个像元电连接而发生短路失效。 | ||
| 搜索关键词： | 平面 阵列 倒装 互连 工艺 方法 探测器 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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