[发明专利]一种窄线宽激光器有效
| 申请号： | 202011347264.6 | 申请日： | 2020-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN112134137B | 公开（公告）日： | 2021-02-02 |
| 发明（设计）人： | 魏思航;王任凡 | 申请（专利权）人： | 武汉敏芯半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/00 | 分类号： | H01S5/00;H01S5/04;H01S5/068;H01S5/10;H01S5/50 |
| 代理公司： | 北京中强智尚知识产权代理有限公司 11448 | 代理人： | 黄耀威 |
| 地址： | 430223 湖北省*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种窄线宽激光器，可利用硅纳米波导的四波混频效应产生增益，可有效的避免在激光谐振腔内引入噪声较高的半导体增益介质，提高了输出光信号的频率稳定性；同时激光发射部和滤波器位于激光谐振腔的外部，从而半导体中载流子引起的相位噪声不会对输出光信号有影响，使输出光信号的频率稳定性远远高于其他芯片级窄线宽激光器。并且蛇形排布的硅纳米线波导的传输和弯曲损耗远小于常规的硅基波导，从而可有效地增加激光谐振腔的长度，有利于缩小输出光信号的线宽。另外，硅纳米线波导的非线性增益高于SIN微环等常规硅基非线性增益器件，从而该激光器的转换效率会高于常规硅基非线性激光器，进而使输出光信号具有更高的功率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 窄线宽 激光器 | ||
【主权项】：
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