[发明专利]具有复合衬底结构的CZT薄膜材料及其制备方法在审
| 申请号： | 202011347355.X | 申请日： | 2020-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN112522735A | 公开（公告）日： | 2021-03-19 |
| 发明（设计）人： | 黄健;黄浩斐;陈卓睿;尚艺;张志洛;唐可;王林军 | 申请（专利权）人： | 上海大学 |
| 主分类号： | C25B11/069 | 分类号： | C25B11/069;C25B11/075;C25B1/04;C25B1/55;C23C14/35;C23C14/08;C23C14/18;C23C14/30;C30B28/12;C30B29/46;H01L31/0296 |
| 代理公司： | 上海上大专利事务所(普通合伙) 31205 | 代理人： | 顾勇华 |
| 地址： | 200444*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有复合衬底结构的CZT薄膜材料及其制备方法，所述碲锌镉薄膜采用基片‑复合衬底‑半导体的三明治结构的组合形式。所述复合衬底结构是由氧化锌基薄膜层与金属催化层进行层叠组装结合的结构。本发明在传统碲锌镉薄膜生长过程中采用复合衬底结构。与传统生长方式相比，本发明所采用的复合衬底结构技术，得到的薄膜生长速度更快，薄膜晶粒尺寸更大，薄膜晶体质量更高，薄膜表面形貌可调控。本发明制备的薄膜材料对于能源、公共安全、军事、核工业、核医学、科学研究以及航空航天等领域能源获取、安全监控、辐射防护方面具有重要意义和应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 复合 衬底 结构 czt 薄膜 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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