[发明专利]电子装置及其制造方法在审
| 申请号： | 202011348139.7 | 申请日： | 2020-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN113257858A | 公开（公告）日： | 2021-08-13 |
| 发明（设计）人： | 李相根;柳汉宗 | 申请（专利权）人： | 三星显示有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/32 | 分类号： | H01L27/32 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 李盛泉;全振永 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 公开一种电子装置及其制造方法。一实施例的电子装置制造方法可以包括如下步骤而提供在孔区域处的反射率得到改善的电子装置：提供定义有贯通孔的电子面板；提供至少一部分插入到所述贯通孔的电子模块；以及向包括第一面和第二面的窗口的孔区域提供酸溶液而形成凹凸图案，其中，所述第一面与所述电子面板相邻且包括与所述贯通孔重叠的孔区域以及围绕所述孔区域的周围区域，所述第二面与所述第一面相对并且与所述电子模块相隔。 | ||
| 搜索关键词： | 电子 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
