[发明专利]一种可用于选区原子层沉积的微纳加工方法

摘要

本发明属于半导体加工技术领域，公开了一种可用于选区原子层沉积的微纳加工方法，以材料LiPON作为抑制剂为例，但并不限于LiPON，LiPON只是可通过原子层沉积得到的抑制剂其中之一。通过原子层沉积的方法生长抑制剂薄膜，抑制剂薄膜能够抑制后续的氧化物的原子层沉积的生长，有抑制剂薄膜覆盖的位置实现后续氧化物原子层沉积的抑制，无抑制剂覆盖的部分原子层沉积可正常进行，实现选区原子层沉积。本发明能够在原位情况下很好的抑制后续氧化物的原子层沉积，具有很强的抑制后续氧化物的原子层沉积的生长的效果，从而达到提高选择率的目的。本发明解决了仅在非沉积区吸附一层抑制剂分子，抑制效果难以调节的问题。