[发明专利]一种具有静电放电保护功能的可控硅器件在审
| 申请号： | 202011349246.1 | 申请日： | 2020-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN112466939A | 公开（公告）日： | 2021-03-09 |
| 发明（设计）人： | 李晓静;曾传滨;高林春;闫薇薇;倪涛;单梁;王加鑫;李多力;罗家俊;韩郑生 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/74 | 分类号： | H01L29/74;H01L29/06;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人： | 房德权 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及可控硅器件静电保护技术领域，具体涉及一种具有静电放电保护功能的可控硅器件。其中，硅膜层中沿左右方向相邻设置有N型阱区和P型阱区；N型阱区中的上部从左到右依次设置有等效二极管区、第一P型重掺杂区和超浅沟槽隔离区；等效二极管区包括至少一个等效结构；任一等效结构均包括沿左右方向设置的第一N型重掺杂区和第二P型重掺杂区，并对应设置有第二多晶硅；P型阱区中的上部从左到右依次设置有第二N型重掺杂区和第三P型重掺杂区。本发明利用超浅沟槽隔离区的绝缘能力，增加了SCR中正极到负极的路径上的等效电阻，并在N型阱区中设置了等效二极管区，实现提高SCR的维持电压的目的，并且有效降低了SCR的漏电风险。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 静电 放电 保护 功能 可控硅 器件 | ||
【主权项】：
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