[发明专利]一种可控硅器件在审
| 申请号： | 202011349302.1 | 申请日： | 2020-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN112466940A | 公开（公告）日： | 2021-03-09 |
| 发明（设计）人： | 李晓静;曾传滨;闫薇薇;高林春;倪涛;单梁;王加鑫;李多力;赵发展;罗家俊;韩郑生 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/74 | 分类号： | H01L29/74;H01L29/06;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人： | 房德权 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及可控硅静电保护技术领域，具体涉及一种可控硅器件。该结构中，N型阱区的上部设有第一空白掺杂区；任一等效结构均包括沿左右方向并排设置的第一N型重掺杂区和第二P型重掺杂区；任一等效结构均对应设置有第二多晶硅；P型阱区的上部设有第二空白掺杂区；第一多晶硅与第一空白掺杂区存在重合区，且覆盖第二空白掺杂区的顶部；硅化物阻隔层与第一P型重掺杂区存在重合区，并与第一多晶硅存在重合区，还覆盖第二空白掺杂区的顶部。本发明在N型阱区上设置了硅化物阻挡层，利用硅化物阻挡层良好的限流能力，并在N型阱区中设置了等效二极管区，实现提高了SCR的维持电压的目的，有效降低了SCR的漏电风险，提高了SCR的静电放电保护的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 可控硅 器件 | ||
【主权项】：
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