[发明专利]半导体装置及其形成方法在审
| 申请号： | 202011350702.4 | 申请日： | 2020-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN113257781A | 公开（公告）日： | 2021-08-13 |
| 发明（设计）人： | 刘键炫 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L23/528;H01L23/552;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明的实施例提供了一种半导体装置。半导体装置包括第一部分和垂直导电结构。第一部分包括：第一介电层；以及第一保护环，位于第一介电层中。第一保护环包括在第一介电层中第一金属层连接至第一过孔。垂直导电结构穿过第一介电层，并且靠近第一保护环。本发明的实施例还涉及形成半导体装置的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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