[发明专利]一种利用湿法刻蚀具有微沟槽的AlGaAs/GaAs中子探测器

摘要

一种利用湿法刻蚀具有微沟槽的AlGaAs/GaAs中子探测器，以p型GaAs作为衬底层，在GaAs衬底层上依次外延生长低Al组分变带隙AlGaAs/GaAs有源层、高Al组分AlGaAs刻蚀层，而后在高Al组分AlGaAs刻蚀层上周期性交替生长多层低Al组分变带隙AlGaAs/GaAs有源层与高Al组分AlGaAs刻蚀层，且最后在顶层外延生长的一层为低Al组分变带隙AlGaAs/GaAs有源层，再利用HF酸腐蚀高Al组分AlGaAs刻蚀层以形成微沟槽；再在微沟槽中沉积肖特基电极，在GaAs衬底层沉积欧姆电极，最后在微沟槽形成有中子转换层，刻蚀的微沟槽质量显著，有利于探测器中子探测效率的提升。