[发明专利]一种雪崩光电二极管在审
| 申请号： | 202011354048.4 | 申请日： | 2020-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN114551603A | 公开（公告）日： | 2022-05-27 |
| 发明（设计）人： | 雷述宇 | 申请（专利权）人： | 宁波飞芯电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/02 | 分类号： | H01L31/02;H01L31/107 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 315500 浙江省宁*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种雪崩光电二极管，包括：至少两个独立的有源区，至少两个淬灭电路，至少两个复位电路以及公共的脉冲输出电路，其中每个淬灭电路以及每个复位电路连接到每个独立的有源区之一；公共脉冲输出电路其连接到所述雪崩光电二级管，通过本发明的结构，有利于在与现有技术相同的宽度尺寸量级前提下明显地提升有源区的面积占比，最有化的实现了更高的探测概率，保证探测结果的准确性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 雪崩 光电二极管 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于宁波飞芯电子科技有限公司，未经宁波飞芯电子科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011354048.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
