[发明专利]一种基于硒化镉薄膜的近红外窄带探测器及其制备方法有效
| 申请号： | 202011354294.X | 申请日： | 2020-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN112490317B | 公开（公告）日： | 2022-05-20 |
| 发明（设计）人： | 唐江;李康华;陈超;牛广达;卢岳;杨许可;林雪甜 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H01L31/101 | 分类号： | H01L31/101;H01L31/0216;H01L31/0296;H01L31/18 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 李智 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于硒化镉薄膜的近红外窄带探测器及其制备方法，属于光电材料及光电探测器制备领域，探测器从下至上依次包括：基底、硒化镉薄膜、P型吸光层和金属电极；硒化镉薄膜的厚度不小于1μm；P型吸光层的光谱吸收带边大于710nm。制备方法包括：(S1)在基底上沉积厚度不小于1μm的硒化镉薄膜；(S2)在硒化镉薄膜上沉积P型吸光层；(S3)在P型吸光层上沉积金属电极，从而得到基于硒化镉薄膜的近红外窄带探测器。本发明能够实现波长大于710nm的近红外窄带探测，并且结构简单，成本较低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 硒化镉 薄膜 红外 窄带 探测器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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