[发明专利]声表面波晶片级封装在审
| 申请号： | 202011355746.6 | 申请日： | 2020-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN112865739A | 公开（公告）日： | 2021-05-28 |
| 发明（设计）人： | 李昶烨;张硕焕;河真镐;金炳学 | 申请（专利权）人： | 天津威盛电子有限公司 |
| 主分类号： | H03H9/02 | 分类号： | H03H9/02;H03H9/64 |
| 代理公司： | 北京市隆安律师事务所 11323 | 代理人： | 权鲜枝 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种声表面波晶片级封装包括：基板；叉指式换能器(IDT)电极，其形成在所述基板上；连接电极，其电连接到所述IDT电极；侧壁，其形成在所述基板上并且在所述IDT电极外部；盖，其形成在所述侧壁和所述IDT电极的上方，与所述侧壁一起在所述IDT电极上形成腔；连接端子，其电连接到所述连接电极并在所述盖的上方突出；第一增强层，其形成在所述盖上，在垂直方向上至少部分地与所述腔重叠；第二增强层，其形成为覆盖所述盖和所述第一增强层，并且具有形成在与所述连接端子相对应的部分和与所述第一增强层相对应的部分中的孔；以及凸块，其形成在所述第二增强层的各个孔中，在所述第二增强层上方突出。 | ||
| 搜索关键词： | 表面波 晶片 封装 | ||
【主权项】：
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