[发明专利]MEMS压力芯片及其制备方法在审
| 申请号： | 202011356433.2 | 申请日： | 2020-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN112607701A | 公开（公告）日： | 2021-04-06 |
| 发明（设计）人： | 聂泳忠;李腾跃 | 申请（专利权）人： | 西人马联合测控（泉州）科技有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/02 | 分类号： | B81B7/02;B81B3/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 娜拉 |
| 地址： | 362000 福建*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本申请属于压力传感器领域，涉及一种MEMS压力芯片及其制备方法。该芯片包括：支撑部，具有通腔；感应膜层，悬空于通腔且通过支撑部支撑，感应膜层包括悬空区和搭接区，感应膜层通过搭接区连接于支撑部，悬空区悬空于通腔且悬空区开设有与通腔连通的至少一个应力集中槽；压敏电阻，多个压敏电阻分别设于感应膜层背向支撑部的一侧且分别与应力集中槽对应设置，压敏电阻用于根据感应膜层的形变产生电信号。本申请实施例通过在压敏电阻相对的地方设置应力集中槽，一方面，可以减薄压敏电阻在应力集中槽位置的厚度，提高压敏电阻的灵敏度，另一方面，不需要将压敏电阻整体制备的很薄，降低了制备成本。 | ||
| 搜索关键词： | mems 压力 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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