[发明专利]一种Ku波段低功耗CMOS低噪声放大器电路有效
| 申请号： | 202011357004.7 | 申请日： | 2020-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN112383280B | 公开（公告）日： | 2023-07-04 |
| 发明（设计）人： | 郭本青;龚静;邬经伟;刘海峰 | 申请（专利权）人： | 成都信息工程大学 |
| 主分类号： | H03F1/02 | 分类号： | H03F1/02;H03F1/26 |
| 代理公司： | 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 | 代理人： | 李朝虎 |
| 地址： | 610000 四川省成都*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种Ku波段低功耗CMOS低噪声放大器电路，由变压器构成的跨导增益级电路、信号放大级电路，信号放大级电路采用MOS管堆叠拓扑结构，信号放大级电路包括第一级、第二级MOS管堆叠信号放大电路，第一级、第二级MOS管堆叠信号放大电路并联；射频输入信号分别从信号放大级电路输入，通过所述的由变压器的跨导增益级电路进行初步无源电压增大，使得在低的偏置电流下获得高的跨导增益；经过初步无源放大的电压信号，输入至信号放大电路进行进一步电压信号放大；经过放大后的电压信号作为输出信号经谐振电路输出，使工作频段调整到Ku波段。本发明可以显著降低LNA的功耗，同时可以获得较高的增益，以及较低的噪声系数。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 ku 波段 功耗 cmos 低噪声放大器 电路 | ||
【主权项】：
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