[发明专利]一种半导体器件的良率预测方法及装置在审
| 申请号： | 202011357825.0 | 申请日： | 2020-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN112488182A | 公开（公告）日： | 2021-03-12 |
| 发明（设计）人： | 陈珊珊;陈宏璘;龙吟 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | G06K9/62 | 分类号： | G06K9/62;G06N3/04;G06N3/08 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 徐伟 |
| 地址： | 201315 上海市浦东新区中国（上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件的良率预测方法及装置，以及一种计算机可读存储介质。该方法包括步骤：获取待预测的半导体器件的缺陷数据，其中，所述待预测的半导体器件包括半导体器件成品及半导体器件半成品，所述缺陷数据指示所述半导体器件的至少一个缺陷的缺陷种类及位置；将所述缺陷数据输入预先训练的良率预测模型，其中，所述良率预测模型包括神经网络结构及分类结构，所述神经网络结构用于从所述缺陷数据提取缺陷特征向量，所述分类结构用于根据所述缺陷特征向量输出良率合格或不合格的分类结果；以及利用所述良率预测模型确定所述半导体器件的良率合格或不合格的分类结果。本发明能够对半导体器件的缺陷和良率进行准确、有效地预测。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 预测 方法 装置 | ||
【主权项】：
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