[发明专利]一种基于AlGaN的具有不同铝组分的超晶格量子垒的深紫外LED有效
| 申请号： | 202011357868.9 | 申请日： | 2020-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN112614919B | 公开（公告）日： | 2022-04-19 |
| 发明（设计）人： | 谷怀民;刘娜娜;杨先啓;廖泽兵 | 申请（专利权）人： | 华南师范大学 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/32;H01L33/14 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 何淑珍;江裕强 |
| 地址： | 510275 广东省广州市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明具体涉及一种基于AlGaN的具有不同铝组分的超晶格量子垒的深紫外LED。该LED从下至上依次包括蓝宝石沉底，N型层、具有不同铝组分的超晶格量子垒有源区、电子阻挡层、P型层及接触层，还包括从N型层引出的n型欧姆电极以及从接触层引出的p型欧姆电极。将量子阱有源区中的量子垒设计成具有不同铝组分的超晶格量子垒，抑制了空穴的泄露、削弱了量子阱里的静电场，最终提高了电子和空穴在有源区里的辐射复合率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 algan 具有 不同 组分 晶格 量子 深紫 led | ||
【主权项】：
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