[发明专利]半导体刻蚀方法在审
| 申请号： | 202011358152.0 | 申请日： | 2020-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN112530780A | 公开（公告）日： | 2021-03-19 |
| 发明（设计）人： | 刘珂;王京;何艳 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/67;B08B7/00 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;王婷 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体刻蚀方法，包括：刻蚀步骤，对半导体刻蚀设备工艺腔室中的待加工件进行刻蚀；清洁步骤，清除工艺腔室中的刻蚀产物。交替执行刻蚀步骤和清洁步骤。其中，清洁步骤包括：清除工艺腔室内部件表面剩余的保护层；清除工艺腔室中的刻蚀产物；对工艺腔室进行吹扫；在部件表面沉积保护层。本发明实施例提供的半导体刻蚀方法能够消除工艺腔室内部各种结构的表面性质之间的差异对半导体刻蚀工艺的影响，提高刻蚀待加工件的均匀性，进而提高产品良率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京北方华创微电子装备有限公司，未经北京北方华创微电子装备有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011358152.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
