[发明专利]一种高速率半导体激光器及其封装结构和方法有效
| 申请号： | 202011358393.5 | 申请日： | 2020-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN112510482B | 公开（公告）日： | 2021-12-14 |
| 发明（设计）人： | 陈志标;周丹 | 申请（专利权）人： | 武汉云岭光电有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/042 | 分类号： | H01S5/042;H01S5/024;H01S5/02345 |
| 代理公司： | 北京汇泽知识产权代理有限公司 11228 | 代理人： | 代婵 |
| 地址： | 430223 湖北省武汉市东湖新技术开发*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种高速率半导体激光器及其封装结构和方法，该高速率半导体激光器封装结构包括半导体激光器和热沉，所述热沉上设有P型过渡电极，所述半导体激光器倒装在热沉上，半导体激光器的P型电极朝下，并通过焊料与热沉上对应的P型过渡电极焊接，热沉上的P型过渡电极与管座上对应的封装引脚电连接，本发明的有源区条宽为1‑5um，P面电极很窄，大大提高了速率，所述半导体激光器的P面无需设置金丝引线焊盘，能达到提高散热并降低寄生电容的效果，从而提升激光器速率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 速率 半导体激光器 及其 封装 结构 方法 | ||
【主权项】：
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