[发明专利]一种海尔贝克阵列磁体组件的一体充磁方法有效
| 申请号： | 202011359021.4 | 申请日： | 2020-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN112530658B | 公开（公告）日： | 2022-09-27 |
| 发明（设计）人： | 孙航;魏启锋;孟辉 | 申请（专利权）人： | 杭州智见控股集团有限公司 |
| 主分类号： | H01F13/00 | 分类号： | H01F13/00;H01F41/02 |
| 代理公司： | 杭州浙科专利事务所(普通合伙) 33213 | 代理人： | 周红芳;朱盈盈 |
| 地址： | 311500 浙江省杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种海尔贝克阵列磁体组件的一体充磁方法，包括如下步骤：1）选用合适毛坯；2）先将毛坯组装方向的尺寸加工到指定尺寸；3）根据不同磁化方向对毛坯进行海尔贝克阵列组装，形成海尔贝克阵列组件；4）再将组装好的海尔贝克阵列组件加工至需求尺寸，形成海尔贝克阵列半成品；5）对海尔贝克阵列半成品进行表面处理；6）对进行表面处理后的海尔贝克阵列半成品进行一体充磁，形成海尔贝克阵列磁体。本发明的有益效果是：海尔贝克阵列磁体，采用先不充磁的方式组装，没有了排斥力的影响，员工操作安全系数增加，大大降低了装配难度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 海尔 贝克 阵列 磁体 组件 一体 充磁 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于杭州智见控股集团有限公司，未经杭州智见控股集团有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011359021.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种滤毒罐快速拆装结构
- 下一篇：一种圆筒式高压电阻器
