[发明专利]形成半导体封装件的方法及半导体封装件有效
| 申请号： | 202011359779.8 | 申请日： | 2020-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN112420534B | 公开（公告）日： | 2021-11-23 |
| 发明（设计）人： | 李维平 | 申请（专利权）人： | 上海易卜半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L23/488 |
| 代理公司： | 北京市中伦律师事务所 11410 | 代理人： | 杨黎峰 |
| 地址： | 201700 上海市青浦区*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了形成半导体封装件的方法及半导体封装件，方法包括：提供半导体器件，半导体器件至少包括：半导体晶圆和位于半导体晶圆上方的至少两个金属焊盘；在半导体器件的上方形成晶种层；在晶种层的上方形成第一光刻胶层；在第一光刻胶层中形成第一开口，其中，第一开口位于第一金属焊盘的至少一部分的正上方；在第一开口中形成第一高度的第一金属部件；去除第一光刻胶层；在晶种层之上形成第二光刻胶层；在第二光刻胶层中形成第二开口，其中，第二开口位于第二金属焊盘的至少一部分的正上方；在第二开口中形成第二高度的第二金属部件；去除第二光刻胶层。利用上述方法，能够对不同尺寸的金属凸块进行高度控制。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 半导体 封装 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
