[发明专利]一种半导体激光发射器在审
| 申请号： | 202011361135.2 | 申请日： | 2020-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN112490846A | 公开（公告）日： | 2021-03-12 |
| 发明（设计）人： | 雷述宇 | 申请（专利权）人： | 宁波飞芯电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/042 | 分类号： | H01S5/042;H01S5/183 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 315500 浙江省宁*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体激光发射器，其特征在于，包括：第一DBR层，第二DBR层，配置于所述第一DBR层与所述第二DBR层之间的量子阱有源区，所述第二DBR层还连接衬底层，所述衬底层具有第一厚度，所述衬底远离所述量子阱有源区的一侧包含激发所述量子阱有源区的第一电极和第二电极；通过将驱动有源区的第一电极和第二电极设置在衬底的相同侧，减少了引线电感，使得发射器能够适应更高电信号传递速率要求的场景，同时也不用改变顶出光的出光方式。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 激光 发射器 | ||
【主权项】：
暂无信息
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