[发明专利]半导体器件及其形成方法在审
| 申请号： | 202011361369.7 | 申请日： | 2020-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN113113361A | 公开（公告）日： | 2021-07-13 |
| 发明（设计）人： | 黄懋霖;朱龙琨;徐崇威;余佳霓;江国诚;王志豪 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L27/092 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 方法包括：在p型区域和n型区域中分别提供第一沟道层和第二沟道层；在第一沟道层和第二沟道层周围形成栅极介电层；以及在栅极介电层周围形成牺牲层。牺牲层在第一沟道层之间的间隔和第二沟道层之间的间隔中合并。方法还包括：蚀刻牺牲层，从而使得仅牺牲层的位于第一沟道层之间的间隔和第二沟道层之间的间隔中的部分保留；形成覆盖p型区域并且暴露n型区域的掩模；从n型区域去除牺牲层；去除掩模；以及在n型区域中的栅极介电层周围和p型区域中的栅极介电层和牺牲层上方形成n型功函金属层。本申请的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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