[发明专利]预离子布植的垂直腔面发射激光器的制作方法有效
| 申请号： | 202011362089.8 | 申请日： | 2020-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN112332216B | 公开（公告）日： | 2021-09-21 |
| 发明（设计）人： | 方照诒;郭浩中;潘德烈 | 申请（专利权）人： | 北京金太光芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183 |
| 代理公司： | 北京驰纳智财知识产权代理事务所(普通合伙) 11367 | 代理人： | 李佳佳 |
| 地址： | 100006 北京市东城*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种预离子布植的垂直腔面发射激光器的制作方法，至少包括基底、第一反射镜层、主动区和第二反射镜层，制作方法包括：根据预先在所述第一反射镜层中标定的所述离子布植区域将离子布植到所述第一反射镜层中；在离子布植后，继续在所述第一反射镜层上进行二次外延生长，从而生成所述垂直腔面发射激光器；或，根据预先在所述第一反射镜层中标定的所述离子布植区域将离子布植到预先生成的部分垂直腔面发射激光器；在离子布植后，继续在生成的部分垂直腔面发射激光器上进行二次外延生长，从而所述垂直腔面发射激光器。 | ||
| 搜索关键词： | 离子 垂直 发射 激光器 制作方法 | ||
【主权项】：
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