[发明专利]读参考电路、读操作电路及存储单元在审
| 申请号： | 202011362372.0 | 申请日： | 2020-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN114566199A | 公开（公告）日： | 2022-05-31 |
| 发明（设计）人： | 汪腾野;罗睿明;王韬 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（天津）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/4093 | 分类号： | G11C11/4093;G11C11/4096 |
| 代理公司： | 北京市一法律师事务所 11654 | 代理人： | 刘荣娟 |
| 地址： | 300385*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本申请提供一种读参考电路、读操作电路及存储单元，所述读参考电路包括：一个或多个并联的参考模块；所述参考模块包括两个串联且写入数据不同的第一参考单元和第二参考单元；所述第一参考单元、所述第二参考单元分别在写操作和读操作时的电流方向相同。本申请技术方案的读参考电路、读操作电路及存储单元能够避免MRAM在读操作时受到干扰。 | ||
| 搜索关键词： | 参考 电路 操作 存储 单元 | ||
【主权项】：
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