[发明专利]迭代自对准图案化在审
| 申请号： | 202011363279.1 | 申请日： | 2015-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN112542377A | 公开（公告）日： | 2021-03-23 |
| 发明（设计）人： | 陈德芳;林焕哲;李俊鸿;陈昭成 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/033 | 分类号： | H01L21/033;H01L21/308 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种用于自对准图案化的方法包括：提供衬底；形成包括多个芯轴部件的图案化的芯轴层，图案化的芯轴层形成在衬底上；在芯轴层上方沉积第一间隔件层，第一间隔件层包括第一类型的材料；各向异性地蚀刻第一间隔件层以在芯轴部件的侧壁上留下第一组间隔件；去除芯轴层；在第一组间隔件的剩余部分上方沉积第二间隔件层；以及各向异性地蚀刻第二间隔件层以在第一组间隔件的侧壁上形成第二组间隔件。本发明还涉及迭代自对准图案化。 | ||
| 搜索关键词： | 对准 图案 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
