[发明专利]半导体器件及制造方法在审
| 申请号： | 202011363677.3 | 申请日： | 2020-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN112490290A | 公开（公告）日： | 2021-03-12 |
| 发明（设计）人： | 朱小娜 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L29/423;H01L29/51;H01L21/336;H01L27/1159 |
| 代理公司： | 上海恒锐佳知识产权代理事务所(普通合伙) 31286 | 代理人： | 黄海霞 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件，包括铁电层衬底、栅极、源极、漏极、浅沟槽隔离结构和侧墙，所述铁电层衬底自下而上包括第一硅层、第一氧化层、铁电层、第二氧化层和第二硅层，所述栅极自下而上包括层间介质层、介电层、保护层和金属层。所述半导体器件中，所述铁电层的材料为铁电性材料，所述介电层的材料包括二氧化铪基高介电常数材料或二氧化铪基材料中的一种，能够在写入时在表面栅和底电极施加相反或相同的电压信号，使所述铁电层和所述介电层朝相同方向极化或相反方向极化，抑或通过所述铁电层和所述介电层写入方向调控半导体器件的存储状态，从而实现多态存储。本发明还提供了一种半导体器件的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
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