[发明专利]替代苹果在4平方毫米平面上充出S、N磁极的方案在审
| 申请号： | 202011366587.X | 申请日： | 2020-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN112350412A | 公开（公告）日： | 2021-02-09 |
| 发明（设计）人： | 伍本国;汤兵勇 | 申请（专利权）人： | 伍本国;汤兵勇 |
| 主分类号： | H02J7/00 | 分类号： | H02J7/00;H02J50/10;H02J50/90 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518100 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 替代苹果在4平方毫米平面上充出S、N磁极的方案，涉及无线充电技术领域；该方案由接收线圈周围放置的磁铁阵列环状框(5)；环状框5上有16个长方框8、16个长方框7；长方框7与长方框8由隔离条6隔开.在接收线圈的磁铁阵列内的16个长方框8内，置有16个N极磁铁，外圈16个长方框7内；置有16个S极磁铁。在发射线圈的磁铁阵列内，内圈置有16个S极磁铁，外圈16个长方框7内；置有16个N极磁铁。在发射线圈的磁铁阵列内，内圈16个长方框8内，置有16个S极磁铁。在发射线圈的磁铁阵列内，外圈16个长方框7内；置有16个N极磁铁。 | ||
| 搜索关键词： | 替代 苹果 平方毫米 平面 上充出 磁极 方案 | ||
【主权项】：
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