[发明专利]P-S频段的超宽带吸波超构表面及低散射系统在审

专利信息
申请号: 202011366776.7 申请日: 2020-11-27
公开(公告)号: CN112448170A 公开(公告)日: 2021-03-05
发明(设计)人: 李思佳;曹祥玉;杨欢欢;李桐;丛丽丽;韩博文 申请(专利权)人: 中国人民解放军空军工程大学
主分类号: H01Q17/00 分类号: H01Q17/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 710051 陕西省*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 提出一种P‑S频段的超宽带吸波超构表面单元,其由顶层、中间层、底层共三层介质板,两个空气层,顶层介质板上表面的“回”字形开口金属环及集总电阻,中间介质层上表面的“口”字型开口金属环及集总电阻,底层介质板上表面的“回”字形开口金属环及集总电阻,底层介质板下表面的金属地组成。再由上述超宽带吸波超构表面单元构成P‑S频段的超宽带吸波超构表面及低散射系统。超构表面通过介质损耗、介质损耗和结构谐振损耗能够实现0.5GHz‑2.5GHz范围的90%吸波率效果,在P‑S波段的相对带宽达到133.3%;以超宽带超构表面为基础,建立的低散射系统,与相同状态的金属系统相比较,在0.5‑2.5GHz范围也具有很好的RCS缩减效果。所提出的P‑S频段的超宽带吸波超构表面及低散射系统,在实际工程中具有重要的价值。
搜索关键词: 频段 宽带 吸波超构 表面 散射 系统
【主权项】:
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