[发明专利]具有屏蔽栅沟槽的半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 202011367003.0 | 申请日： | 2020-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN112133637B | 公开（公告）日： | 2021-02-12 |
| 发明（设计）人： | 黄艳 | 申请（专利权）人： | 中芯集成电路制造（绍兴）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 312000 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种具有屏蔽栅沟槽的半导体器件的制造方法，在形成沟槽之后，在沟槽的内表面上形成刻蚀速率不同的第一氧化层和第二氧化层，并先将第二氧化层回刻蚀至要求高度，形成侧壁上保留有部分厚度的第一氧化层的回刻蚀槽，再进一步利用回刻蚀槽侧壁上的第一氧化层保护回刻蚀槽侧壁的衬底，并回刻蚀第一多晶硅层至第二氧化层的顶部以下，形成屏蔽栅，进而在去除回刻蚀槽侧壁上的第一氧化层之后，通过热氧化工艺一步形成栅间氧化层和栅氧化层，由此能够使得形成的栅间氧化层的顶面形貌相对平坦，且使得形成的栅氧化层相对较薄，避免了现有技术中一步形成栅间氧化层和栅氧化层的工艺造成多晶硅栅与屏蔽栅之间漏电的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 屏蔽 沟槽 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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