[发明专利]氮化钽薄膜电阻及其制备方法有效
| 申请号： | 202011367144.2 | 申请日： | 2020-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN112562946B | 公开（公告）日： | 2022-01-04 |
| 发明（设计）人： | 邹鹏辉;马飞;莫炯炯;蔡全福;魏婷婷 | 申请（专利权）人： | 浙江集迈科微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01C7/00 | 分类号： | H01C7/00;H01C17/12;H01C17/075 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 313100 浙江省湖州市长兴县经济技术开发*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供一种氮化钽薄膜电阻及其制备方法，通过在同一机台中，采用磁控溅射法形成依次堆叠的氮化钽层及钝化层的复合结构，从而通过钝化层可对氮化钽层进行保护，避免氮化钽层与外界环境接触，以使得氮化钽层具有良好的阻值稳定性；进一步的，当钝化层采用导电层时，通过钝化层即可实现氮化钽层与电极的互连，从而在整个制备工艺中，均可实现钝化层对氮化钽层的覆盖，以有效实现对氮化钽层的保护，以进一步的提高氮化钽层的阻值稳定性，以便制备高稳定性及一致性的氮化钽薄膜电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 薄膜 电阻 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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