[发明专利]一种适用于M10尺寸的电池片的热氧化方法在审
| 申请号： | 202011369588.X | 申请日： | 2020-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN112420873A | 公开（公告）日： | 2021-02-26 |
| 发明（设计）人： | 吴中亚;曹思远;刘丹磊;陈志杰;郭万武 | 申请（专利权）人： | 中建材浚鑫科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/068 |
| 代理公司： | 无锡坚恒专利代理事务所(普通合伙) 32348 | 代理人： | 赵贵春 |
| 地址： | 214400 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种适用于M10尺寸的电池片的热氧化方法，包括以下步骤：S10氧化：利用氧气和保护气对依次经过制绒、扩散和刻蚀抛光工序的原硅片进行热氧化处理；S20热处理:利用保护气对氧化后的硅片进行热处理。该适用于M10尺寸的电池片的热氧化方法在热氧化过程中加入了后期热处理步骤，减小了氧化硅薄膜的热应力，提高了成膜质量，从而提升钝化效果，进一步提高了太阳能电池的光电转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 适用于 m10 尺寸 电池 氧化 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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