[发明专利]薄膜晶体管阵列基板以及包括该阵列基板的电子装置在审
申请号: | 202011370619.3 | 申请日: | 2020-11-30 |
公开(公告)号: | CN113013179A | 公开(公告)日: | 2021-06-22 |
发明(设计)人: | 高永贤 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/32;G02F1/133;G02F1/1362 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 段丹辉;刘久亮 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 薄膜晶体管阵列基板以及包括该阵列基板的电子装置。提供了一种薄膜晶体管阵列基板以及包括该薄膜晶体管阵列基板的电子装置。该薄膜晶体管阵列基板包括:第一有源层,所述第一有源层被设置在基板上;第一栅极绝缘膜,所述第一栅极绝缘膜被设置在第一有源层上;第一栅极,所述第一栅极被设置在第一栅极绝缘膜上以与第一有源层的一部分交叠;第一绝缘膜,所述第一绝缘膜被设置在第一栅极上;第二有源层,所述第二有源层被设置在第一绝缘膜上以与第一有源层和第一栅极交叠;第二栅极绝缘膜,所述第二栅极绝缘膜被设置在第二有源层上;以及第二栅极,所述第二栅极被设置在第二栅极绝缘膜上以与第二有源层的一部分交叠。第一栅极和第二栅极彼此交叠,因此可以减小由晶体管占据的面积。 | ||
搜索关键词: | 薄膜晶体管 阵列 以及 包括 电子 装置 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的