[发明专利]一种基于电晕放电界面修饰的量子点发光二极管及其制备方法有效

专利信息
申请号: 202011372420.4 申请日: 2020-11-30
公开(公告)号: CN112349856B 公开(公告)日: 2022-05-20
发明(设计)人: 陈铃;李栋栋;薛丽莎;苏丽霞;刘少辉 申请(专利权)人: 河南工程学院
主分类号: H01L51/50 分类号: H01L51/50;H01L51/56
代理公司: 郑州优盾知识产权代理有限公司 41125 代理人: 张真真
地址: 451191 河南*** 国省代码: 河南;41
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摘要: 发明公开了一种基于电晕放电界面修饰的量子点发光二极管及其制备方法,量子点发光二极管包括阳极、阴极以及设置在所述阳极和所述阴极之间的量子点发光层,量子点发光层与所述阳极之间设置有空穴传输层,空穴传输层与所述阳极之间设置有空穴注入层,量子点发光层与所述阴极之间设置有电子传输层,量子点发光层靠近电子传输层的表面设置有电晕放电产生的带负电离子层或带正电离子层。本发明中提出的界面调控手段可以有效钝化QDs/ZnO界面处的缺陷,从而大幅度增加低亮度下电子‑空穴的辐射复合效率。本发明提供了一种简单、经济有效,且不会使器件的制备和器件结构复杂化的新方法来平衡发光层的载流子密度从而提高QLED器件的效率。
搜索关键词: 一种 基于 电晕 放电 界面 修饰 量子 发光二极管 及其 制备 方法
【主权项】:
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