[发明专利]一种单晶氧样片的取样方法在审
| 申请号： | 202011372678.4 | 申请日： | 2020-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN112497534A | 公开（公告）日： | 2021-03-16 |
| 发明（设计）人： | 高文飞 | 申请（专利权）人： | 宇泽半导体（云南）有限公司 |
| 主分类号： | B28D5/00 | 分类号： | B28D5/00 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 王美章 |
| 地址： | 675099 云南省楚雄彝族*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种单晶氧样片的取样方法，属于光伏技术领域。步骤如下：一、放置，取直拉单晶硅成型结构上切下的单晶头部，将其在取样工装上放置固定，使单晶头部大直径端面垂直于水平面；二、切片，启动截断机，对单晶头部进行切割，制取氧样片；三、取样，按照氧样片取样标准，取下氧样片上的测试样品，完成取样工作。本发明的取样方法，无需对可用硅棒部分进行取样，不会影响到硅片的产量与生产效率，对常规生产中用于回炉重造的单晶头部部分进行固定取样，操作简单方便，且避免了对硅片产能的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 单晶氧 样片 取样 方法 | ||
【主权项】：
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