[发明专利]基于无穷小偶极子模型变形阵列天线远场方向图分析方法有效
| 申请号： | 202011376484.1 | 申请日： | 2020-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN112446152B | 公开（公告）日： | 2022-09-13 |
| 发明（设计）人： | 王伟;周亚田;娄顺喜;连少凡;保宏;张逸群;陈文俊;钟剑锋;高国明;徐文华 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | G06F30/20 | 分类号： | G06F30/20 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 姚咏华 |
| 地址： | 710071 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种基于无穷小偶极子模型变形阵列天线远场方向图分析方法，包括变形阵列天线辐射单元的几何模型的确定和近场数据采集；无穷小偶极子初始模型以及优化模型的建立；利用量子粒子群算法优化得到实际辐射单元的无穷小偶极子模型；使用无穷小偶极子模型将各个辐射单元替代推导其之间的互导纳表达式；研究阵面变形对阵元间互导纳的影响并得出变形阵列天线的导纳矩阵；最后揭示各个辐射单元的实际激励值，计算变形阵列天线的远场方向图。本发明能够准确的分析变形阵列天线的辐射性能，对工程中实际阵列天线电性能的精确分析具有理论指导意义。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 无穷小 偶极子 模型 变形 阵列 天线 方向 分析 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安电子科技大学，未经西安电子科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011376484.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
