[发明专利]沟槽功率半导体器件及制造方法在审
| 申请号： | 202011376901.2 | 申请日： | 2020-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN112420845A | 公开（公告）日： | 2021-02-26 |
| 发明（设计）人： | 朱袁正;廖周林;周锦程;王根毅;周永珍 | 申请（专利权）人： | 无锡新洁能股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/40;H01L21/336 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人： | 曹祖良;涂三民 |
| 地址： | 214131 江苏省无锡市滨湖区高浪东路999号*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种沟槽功率半导体器件，在漏极金属上设有第一导电类型衬底、第一导电类型外延层，在第一导电类型外延层上设有第二导电类型体区与第二导电类型阱区，在第二导电类型体区内开设有第一类沟槽，在第二导电类型阱区内开设有第二类沟槽，所述第二类沟槽围绕所述第一类沟槽设置，所述第二导电类型体区的第二导电类型杂质的浓度峰值大于第二导电类型阱区的第二导电类型杂质的浓度峰值，本发明能够提高功率半导体器件的终端耐压，提高功率半导体器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 功率 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
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