[发明专利]单斜相Ga2在审

专利信息
申请号: 202011377983.2 申请日: 2020-11-30
公开(公告)号: CN112522789A 公开(公告)日: 2021-03-19
发明(设计)人: 郭国聪;王国强;刘彬文;姜小明 申请(专利权)人: 中国科学院福建物质结构研究所
主分类号: C30B29/46 分类号: C30B29/46;C30B25/00;G02F1/355
代理公司: 北京元周律知识产权代理有限公司 11540 代理人: 校丽丽
地址: 350002 福建*** 国省代码: 福建;35
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摘要: 本申请公开了一种单斜相Ga2S3晶体的气相生长方法,包括以下步骤:将含有Ga2S3多晶原料、传输剂和单斜相Ga2S3籽晶的真空密闭容器在温度梯度区内进行加热恒温;晶体生长后降温,得到所述单斜相Ga2S3晶体。该并公开了一种晶体生长装置。本发明采用封闭式化学气相沉积法进行晶体生长,并调整生长过程中的温度等参数,从而得到了能够符合实用要求的厘米级的高质量单斜相Ga2S3晶体,且在紫外可见近红外光区域透过率可达80%以上。该技术具有操作简单,经济,安全和环境友好等优势。
搜索关键词: 单斜 ga base sub
【主权项】:
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