[发明专利]一种兼容LDMOS和GaN功放的设计方法在审
| 申请号： | 202011378230.3 | 申请日： | 2020-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN112511108A | 公开（公告）日： | 2021-03-16 |
| 发明（设计）人： | 俞启进;张力;董昊;李江舟 | 申请（专利权）人： | 南京典格通信科技有限公司 |
| 主分类号： | H03F1/00 | 分类号： | H03F1/00 |
| 代理公司： | 南京知识律师事务所 32207 | 代理人： | 张苏沛 |
| 地址： | 210000 江苏省南京市玄武区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种兼容LDMOS和GaN功放的设计方法，包括如下步骤：通过对供电电路的设计优化，将GaN供电电路和LDMOS供电电路进行兼容性设计。通过一个正压的DAC或者类似电压调节电路(如分压电路)进行功放工作状态的调节；通过一个加法器的设计，DAC控制电压加上一个0电平或负压电平，通过控制中心切换，兼容了LDMOS正压和GaN负压的工作状态；通过漏极开关进行控制，实现了GaN和LDMOS的兼容。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 兼容 ldmos gan 功放 设计 方法 | ||
【主权项】：
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