[发明专利]一种MEMS光纤珐珀传感器及制作装置、制作方法在审
申请号: | 202011378321.7 | 申请日: | 2020-11-30 |
公开(公告)号: | CN112577534A | 公开(公告)日: | 2021-03-30 |
发明(设计)人: | 司文荣;虞益挺;吕佳明;李浩勇;傅晨钊;姚维强;鞠登峰;吴旭涛;陆启宇;宋平;黄兴德;李秀广;何宁辉;周秀;陈川;梁基重;药炜;袁鹏 | 申请(专利权)人: | 国网上海市电力公司;西北工业大学;全球能源互联网研究院有限公司;国网宁夏电力有限公司电力科学研究院;国网山西省电力公司;西安茂荣电力设备有限公司 |
主分类号: | G01D5/353 | 分类号: | G01D5/353;G01H9/00;G03F7/00 |
代理公司: | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人: | 赵志远 |
地址: | 200122 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明涉及一种MEMS光纤珐珀传感器及制作装置、制作方法,所述的传感器包括光纤、大孔、小孔、反射层和敏感膜片,所述的反射层制作在敏感膜片上,所述的敏感膜片位于小孔底部,所述的小孔位于大孔底部,所述的大孔底部与光纤端面固定并同轴心设置。与现有技术相比,本发明具有大幅度简化后续封装步骤,提高珐珀腔的构建效率,同时可准确控制珐珀腔腔长、大幅度增加珐珀干涉的精细度、降低珐珀腔的损耗、提高珐珀腔的干涉品质等优点。 | ||
搜索关键词: | 一种 mems 光纤 传感器 制作 装置 制作方法 | ||
【主权项】:
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