[发明专利]半导体器件及其制作方法、芯片键合结构在审
| 申请号： | 202011378733.0 | 申请日： | 2020-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN112509915A | 公开（公告）日： | 2021-03-16 |
| 发明（设计）人： | 曾甜;占迪;刘天建 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/18 | 分类号： | H01L21/18;H01L23/48;H01L21/306 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件及其制作方法、芯片键合结构，包括：提供键合的第一晶圆和第二晶圆；形成位于第二衬底上的图形化的绝缘层，图形化的绝缘层具有均暴露出第二衬底的第一开孔和辅助开孔；形成保护层，保护层填充部分深度的辅助开孔以及覆盖第一开孔的侧壁；形成硅通孔；形成第二金属层，第二金属层包括互连金属层和辅助金属层，互连金属层填充硅通孔且与第一金属层电连接；辅助金属层填充辅助开孔。本发明中，辅助金属层的形成工艺兼容了TSV工艺，不需要增加额外的工艺，在不增加成本的情况下形成辅助金属层，使第二晶圆表面的图形密度(金属分布密度)趋于均匀，提高了化学机械研磨均匀性，从而提高CMP后晶圆表面的平整度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制作方法 芯片 结构 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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