[发明专利]一种改善槽栅VDMOS器件寄生体二极管反向恢复特性的方法在审
| 申请号： | 202011379084.6 | 申请日： | 2020-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN112447525A | 公开（公告）日： | 2021-03-05 |
| 发明（设计）人： | 吴立成;殷丽;王昊;杨小兵 | 申请（专利权）人： | 北京时代民芯科技有限公司;北京微电子技术研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/423;H01L29/06 |
| 代理公司： | 中国航天科技专利中心 11009 | 代理人： | 张晓飞 |
| 地址： | 100076 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种改善槽栅VDMOS器件寄生体二极管反向恢复特性的方法，该方法通过在P阱区与N‑外延之间设置一个轻掺杂的P buffer缓冲层，通过设置缓冲层可有效降低寄生体二极管正向导通时阳极注入效率，减小寄生体二极管反向恢复电荷。在漏极侧对应源极P+位置下设置高掺杂的p+型控制区，器件漏极区由N型和P+型区镶嵌组成，P+型区为理想欧姆接触，反向恢复过程中为空穴提供了通道，有效改善器件寄生体二极管开关特性。本发明制造方法可有效降低槽栅VDMOS器件寄生体二极管反向恢复电荷，改善器件寄生体二极管反向恢复特性。相比电子辐照本发明可靠性更高，可与现有槽栅VDMOS工艺相兼容。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 vdmos 器件 寄生 二极管 反向 恢复 特性 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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