[发明专利]一种CMOS图像传感器及其制作方法在审
申请号: | 202011380134.2 | 申请日: | 2020-11-30 |
公开(公告)号: | CN112331687A | 公开(公告)日: | 2021-02-05 |
发明(设计)人: | 袁恺;陈世杰 | 申请(专利权)人: | 联合微电子中心有限责任公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 刘星 |
地址: | 401332 重庆市沙坪*** | 国省代码: | 重庆;50 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种CMOS图像传感器及其制作方法,该CMOS图像传感器包括衬底、光电二极管、分布式布拉格反射镜及金属布线层,其中,衬底包括相对设置的正面与背面;光电二极管位于衬底中;分布式布拉格反射镜位于衬底的正面;金属布线层位于分布式布拉格反射镜背离衬底的一面。本发明采用分布式布拉格反射镜代替传统的金属反射镜来实现近红外光的反射,有利于降低成本,并可避免金属反射镜的相关问题,性能更优异。此外,通过结合深沟槽隔离技术、背面散射技术,可以进一步增大近红外光的光程,将近红外光有效地限制在光电二极管内部,实现近红外光的吸收增强,有利于进一步缩小光电二极管的深度,实现像素器件的小型化。 | ||
搜索关键词: | 一种 cmos 图像传感器 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的