[发明专利]一种CMOS图像传感器及其制作方法在审

专利信息
申请号: 202011380134.2 申请日: 2020-11-30
公开(公告)号: CN112331687A 公开(公告)日: 2021-02-05
发明(设计)人: 袁恺;陈世杰 申请(专利权)人: 联合微电子中心有限责任公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146
代理公司: 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 代理人: 刘星
地址: 401332 重庆市沙坪*** 国省代码: 重庆;50
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供一种CMOS图像传感器及其制作方法,该CMOS图像传感器包括衬底、光电二极管、分布式布拉格反射镜及金属布线层,其中,衬底包括相对设置的正面与背面;光电二极管位于衬底中;分布式布拉格反射镜位于衬底的正面;金属布线层位于分布式布拉格反射镜背离衬底的一面。本发明采用分布式布拉格反射镜代替传统的金属反射镜来实现近红外光的反射,有利于降低成本,并可避免金属反射镜的相关问题,性能更优异。此外,通过结合深沟槽隔离技术、背面散射技术,可以进一步增大近红外光的光程,将近红外光有效地限制在光电二极管内部,实现近红外光的吸收增强,有利于进一步缩小光电二极管的深度,实现像素器件的小型化。
搜索关键词: 一种 cmos 图像传感器 及其 制作方法
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于联合微电子中心有限责任公司,未经联合微电子中心有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202011380134.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top