[发明专利]碳化硅晶片的表面加工方法

摘要

本发明公开一种碳化硅晶片的表面加工方法，其包括：提供碳化硅晶片；其中，碳化硅晶片的表面定义有碳面及硅面，并且碳面的晶向不同于硅面的晶向；实施有机薄膜形成步骤，其包含：以有机溶剂浸湿于碳化硅晶片的表面，以于碳化硅晶片的表面上形成有机薄膜；其中，有机溶剂的碳数不小于2、且挥发速率不大于250；以及实施牺牲氧化层形成步骤，其包含：将覆盖有机薄膜的碳化硅晶片置放于高温氧化炉内，以使得碳化硅晶片的表面形成为牺牲氧化层；其中，在牺牲氧化层形成步骤中，有机薄膜能辅助地使得硅面的氧化速率大于碳面的氧化速率。借此，此加工方法能减少材料的浪费、减少新的表面损伤产生的机会、及缩短牺牲氧化层的成长时间。