[发明专利]一种星用抗辐射沟槽型MOS管的加固结构和制备方法有效
| 申请号： | 202011380487.2 | 申请日： | 2020-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN112510081B | 公开（公告）日： | 2023-03-14 |
| 发明（设计）人： | 王晨杰;王英民;刘存生;薛智民;孙有民;王小荷 | 申请（专利权）人： | 西安微电子技术研究所 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/08;H01L29/786;H01L21/336;H01L29/423 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 张海平 |
| 地址： | 710065 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种星用抗辐射沟槽型MOS场效应晶体管的加固结构和制备方法，结构包括依次堆叠的衬底、缓变外延层、层间介质层和金属层；缓变外延层的表面上依次设置有P+体掺杂区和N+源掺杂区，缓变外延层上设置栅极沟槽；栅极沟槽内部从下至上依次层叠有第一栅氧、浮空多晶栅、第二栅氧和控制多晶栅形成双层屏蔽栅极结构；层间介质层上设置有源极浅沟槽，源极浅沟槽对称分布在栅极沟槽的两侧，源极浅沟槽依次穿过层间介质层、N+源掺杂区和P+体掺杂区，源极浅沟槽的深度不超过栅极沟槽中控制多晶栅的纵向多晶厚度；源极浅沟槽内通过离子注入形成P+深源，P+深源与P+体掺杂区相连接；金属层设置在层间介质层上，并填充源极浅沟槽。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 星用抗 辐射 沟槽 mos 加固 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
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