[发明专利]电子器件在审
申请号: | 202011381953.9 | 申请日: | 2020-12-01 |
公开(公告)号: | CN113224052A | 公开(公告)日: | 2021-08-06 |
发明(设计)人: | J·罗伊格-吉塔特;S·姆候比 | 申请(专利权)人: | 半导体元件工业有限责任公司 |
主分类号: | H01L27/06 | 分类号: | H01L27/06 |
代理公司: | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人: | 秦晨 |
地址: | 美国亚*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 本发明题为“电子器件”。本发明公开了一种电子器件。该电子器件可包括管芯,该管芯包括:二极管,该二极管包含半导体基础材料,该半导体基础材料包含第14族元素;以及高电子迁移率晶体管,该高电子迁移率晶体管处于该半导体层上,其中该高电子迁移率晶体管耦接到该二极管。在一个实施方案中,该管芯可包括隔离区,该隔离区使该二极管的阴极电极或阳极电极与该高电子迁移率晶体管的载流电极中的每一者隔离。在另一实施方案中,该管芯可包括电连接件,该电连接件被配置为使得当该高电子晶体管处于导通状态时,该二极管处于阻断状态,并且当该高电子晶体管处于阻断状态时,该二极管处于导通状态。 | ||
搜索关键词: | 电子器件 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的