[发明专利]纳米线电极结构及其制备方法有效
| 申请号： | 202011382059.3 | 申请日： | 2020-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN112582590B | 公开（公告）日： | 2022-11-25 |
| 发明（设计）人： | 武青青;朱建军;林威豪 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01M4/36 | 分类号： | H01M4/36;H01M10/0525;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;陈慧弘 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种纳米线电极结构及其制备方法，所述纳米线电极结构，包括衬底，位于所述衬底上的纳米线阵列，所述纳米线阵列包括多个纳米线结构，所述纳米线结构包括：纳米线中间核；第一包覆壳，所述第一包覆壳包覆所述纳米线中间核；空隙层，所述空隙层位于所述第一包覆壳与所述纳米线中间核之间。所述纳米线电极结构通过在第一包覆壳与纳米线中间核之间形成空隙层，为第一包覆壳的嵌锂膨胀提供空间，减少了第一包覆壳因为体积膨胀带来的破碎，提高了纳米线电极结构的机械性能，同时提高纳米线电极结构的导电性，具有显著的意义。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 电极 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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