[发明专利]一种MEMS探针激光刻蚀方法有效
| 申请号： | 202011382154.3 | 申请日： | 2020-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN112453692B | 公开（公告）日： | 2022-03-29 |
| 发明（设计）人： | 于海超;周明 | 申请（专利权）人： | 强一半导体（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | B23K26/046 | 分类号： | B23K26/046;B23K26/06;B23K26/064;B23K26/362;B23K26/70 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明一种MEMS探针激光刻蚀方法属于半导体加工测试技术领域；所述MEMS探针激光刻蚀方法首先进行参数计算，根据单晶硅圆片的刻蚀间距，得到电机的步进角度，然后进行初始位置调整，将旋转螺旋通槽板至初始位置，将第一刻蚀点移动至光轴，并调整四维台，再进行激光刻蚀与进度判断，最后调整四维台和电机，包括四维台向下移动的距离、向左移动的距离和顺时针转动的角度，以及电机转动的角度；本发明MEMS探针激光刻蚀方法，配合本发明的MEMS探针激光刻蚀装置，不仅刻蚀精度更高，而且刻蚀间距能够连续调节。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mems 探针 激光 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
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