[发明专利]半导体存储器件有效
| 申请号： | 202011382171.7 | 申请日： | 2020-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN112349313B | 公开（公告）日： | 2021-12-03 |
| 发明（设计）人： | 永井享浩 | 申请（专利权）人： | 福建省晋华集成电路有限公司 |
| 主分类号： | G11C5/02 | 分类号： | G11C5/02;H01L27/112 |
| 代理公司： | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人： | 王宏婧 |
| 地址： | 362200 福建省泉州*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体存储器件，包括呈行列分布的电熔丝阵列，每行具有多个对称的电熔丝单元组，每个所述电熔丝单元组中具有两个对称的电熔丝存储器，每个所述电熔丝存储器中均具有两个晶体管，每行的所有晶体管依次串联。本发明中在电熔丝阵列的每行对应设置了两条位线，每行中奇数位的电熔丝单元组中的电熔丝存储器共享该行的一条位线，每行中偶数位的电熔丝单元组中的电熔丝存储器共享该行的另一条位线，从而可以在相同的面积下布局更多的电熔丝单元，降低了器件的尺寸。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 器件 | ||
【主权项】：
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