[发明专利]基于MOSFET的ZTC工作点的电压基准电路在审
| 申请号： | 202011382814.8 | 申请日： | 2020-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN112731998A | 公开（公告）日： | 2021-04-30 |
| 发明（设计）人： | 刘锡锋 | 申请（专利权）人： | 江苏信息职业技术学院 |
| 主分类号： | G05F1/56 | 分类号： | G05F1/56 |
| 代理公司： | 无锡华源专利商标事务所(普通合伙) 32228 | 代理人： | 聂启新 |
| 地址： | 214153*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了基于MOSFET的ZTC工作点的电压基准电路，涉及集成电路技术领域，包括启动电路、偏置电路、运放电路、ZTC核心电路和输出电路，启动电路连接运放电路和核心电路，偏置电路与运放电路、核心电路和输出电路依次相连；启动电路作用于核心电路使其摆脱零工作点；偏置电路产生不随电源变化的稳定偏置电压；运放电路与核心电路形成负反馈电路，使得核心电路的MOSFET管工作在ZTC工作点从而产生ZTC电流；输出电路通过电流镜将ZTC电流作用于第四电阻上，从而在第四电阻的第一端获得基准电压。采用MOSFET管代替传统带隙的多个三极管，不仅电路结构简单，还能获得低于传统带隙温度系数输出的基准电压。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 mosfet ztc 工作 电压 基准 电路 | ||
【主权项】：
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